Anexo:Materiales semiconductores

Grupo IV

Elementos del grupo IV.
- Semiconductores elementales:
  - Diamante (C)
  - Silicio (Si)
  - Germanio (Ge)
- Semiconductores compuestos:
  - Carburo de potasio (SiP)
  - Germanio-aluminio (GeAl)

Grupos III y V

Semiconductores con elementos de los grupos III y V
- Aleaciones dobles con aluminio:
  - Antimoniuro: Antimoniuro de aluminio (AlSb)
  - Arseniuro:Arseniuro de aluminio (AlAs)
  - Nitruro:Nitruro de aluminio (AlN)
  - Fosfuro: Fosfuro de aluminio (AlP)
- Con boro:
  - Nitruro de boro (BN)
  - Fosfuro de boro (BP)
  - Arseniuro de boro (BAs)
- Con galio:
  - Antimoniuro de galio (GaSb)
  - Arseniuro de galio (GaAs)
  - Nitruro de galio (GaN)
  - Fosfuro de galio (GaP)
- Con indio:
  - Antimoniuro de indio (InSb)
  - Arseniuro de indio (InAs)
  - Nitruro de indio (InN)
  - Fosfuro de indio (InP)

Aleaciones triples con elementos de los grupos III y V
- Arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs, Al_xGa_1-xAs)
- Arseniuro de galio-indio (InGaAs, In_xGa_1-xAs)
- Fosfuro de galio-indio (InGaP)
- Arseniuro de indio-aluminio (AlInAs)
- Antimoniuro de indio-aluminio (AlInSb)
- Nitruro de galio-arsénico (GaAsN)
- Fosfuro de galio-arsénico (GaAsP)
- Nitruro de galio-aluminio (AlGaN)
- Fosfuro de galio-aluminio (AlGaP)
- Nitruro de galio-indio (InGaN)
- Antimoniuro de indio-arsénico (InAsSb)
- Antimoniuro de galio-indio (InGaSb)

Aleaciones cuádruples con elementos de los grupos III y V
- Fosfuro de aluminio-galio-indio (AlGaInP, o InAlGaP, InGaAlP, AlInGaP)
- Fosfuro de aluminio-galio-arsénico (AlGaAsP)
- Fosfuro de indio-galio-arsénico (InGaAsP)
- Fosfuro de aluminio-indio-arsénico (AlInAsP)
- Nitruro de aluminio-galio-arsénico (AlGaAsN)
- Nitruro de indio-galio-arsénico (InGaAsN)
- Nitruro de indio-aluminio-arsénico (InAlAsN)

Aleaciones quíntuples con elementos de los grupos III y V
- Antimoniuro de galio-indio-nitrógeno-arsénico (GaInNAsSb)

Grupos II y VI

Semiconductores de los grupos II y VI
- Seleniuro de cadmio (CdSe)
- Sulfuro de cadmio (CdS)
- Telururo de cadmio (CdTe)
- Óxido de zinc (ZnO)
- Seleniuro de zinc (ZnSe)
- Sulfuro de zinc (ZnS)
- Telururo de zinc (ZnTe)

Aleaciones triples con elementos de los grupos II y VI
- Telururo de cadmio-zinc (CdZnTe, CZT)
- Telururo de mercurio-cadmio (HgCdTe)
- Telururo de mercurio-zinc (HgZnTe)
- Seleniuro de mercurio-zinc (HgZnSe)

Grupos I y VII

Semiconductores de los grupos I y VII
- Cloruro de cobre (CuCl)

Grupos IV y VI

Semiconductores de los grupos IV y VI
- Seleniuro de plomo (PbSe)
- Sulfuro de plomo (PbS)
- Telururo de plomo (PbTe)
- Sulfuro de estaño (SnS)
- Telururo de estaño (SnTe)

Aleaciones triples con elementos de los grupos IV y VI
- Telururo de plomo-estaño (PbSnTe)
- Telururo de talio-plomo (Tl₂SnTe₅)
- Telururo de talio-germanio (Tl₂GeTe₅)

Grupos V y VI

Semiconductores de los grupos V y VI
- Telururo de bismuto (Bi₂Te₃)

Grupo II-V

Semiconductores de los grupos II y V
- Fosfuro de cadmio (Cd₃P₂)
- Arseniuro de cadmio (Cd₃As₂)
- Antimoniuro de cadmio (Cd₃Sb₂)
- Fosfuro de zinc (Zn₃P₂)
- Arseniuro de zinc (Zn₃As₂)
- Antimoniuro de zinc (Zn₃Sb₂)

Semiconductores por capas

Yoduro de estaño (II) (SnI₂)
Disulfuro de molibdeno (MoS₂)
Seleniuro de galio (GaSe)
Sulfuro de estaño (SnS)
Sulfuro de bismuto (Bi₂S₃)

Seleniuro de cobre-indio-galio (CIGS)
Siliciuro de platino (PtSi)
Yoduro de bismuto II (BiI₃)
Yoduro de mercurio II (HgI₂)
Bromuro de talio (TlBr)

Óxidos varios
- Dióxido de titanio: (anatase) (TiO₂)
- Óxido de cobre (I) (Cu₂O)
- Óxido de cobre (II) (CuO)
- Dióxido de uranio (UO₂)
- Trióxido de uranio (UO₃)

Semiconductor orgánico o polímero semiconductor

Semiconductores magnéticos

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