Fosfuro de indio
El fosfuro de indio (InP) es un compuesto formado por fósforo e indio. Es un material semiconductor similar al arseniuro de galio.
| Fosfuro de indio | ||
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| General | ||
| Otros nombres | fosfuro de indio (III) | |
| Fórmula molecular | InP | |
| Identificadores | ||
| Número CAS | 22398-80-7[1] | |
| Propiedades físicas | ||
| Densidad | 4810 kg/m³; 4,81 g/cm³ | |
| Masa molar | 145,792 g/mol | |
| Punto de fusión | 1062 °C (1335 K) | |
| Estructura cristalina | cúbico | |
| Índice de refracción (nD) | 3.1 (infrarrojo) | |
| Conductividad térmica | 0.68 | |
| Banda prohibida | 1.344 eV | |
| Valores en el SI y en condiciones estándar (25 ℃ y 1 atm), salvo que se indique lo contrario. | ||
Propiedades
El compuesto posee una estructura cristalina cúbica de cristales negros, ligeramente verdes.
El InP tiene una banda prohibida directa, además de una alta velocidad de deriva, mayor que las del silicio o germanio.[2]
Aplicaciones
Sus propiedades de banda prohibida y alta velocidad electrónica lo hacen adecuado para construir dispositivos optoelectrónicos de alta velocidad como diodos laser, pero debido a dificultades en su utilización, actualmente solo se utiliza como substrato, para el arseniuro de indio-galio, ya que su Estructura cristalina tiene el mismo tamaño que este, 5,87 ángstroms[3]
Referencias
- Número CAS
- InP - Band structure and carrier concentration
- Indium phosphide semiconductors Archivado el 25 de abril de 2013 en Wayback Machine. Microwave Encyclopedia
Enlaces externos
| Control de autoridades |
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Datos: Q416291
Multimedia: Indium phosphide / Q416291
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