Diodo PIN

Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν).[1]

Capas de un diodo PIN

La amplia región intrínseca contrasta con un diodo p-n ordinario. La amplia región intrínseca hace que el diodo PIN sea un rectificador inferior (una función típica de un diodo p-n), pero lo hace adecuado para ser atenuadores, interruptores rápidos (microondas y RF), fotodetectores y aplicaciones de electrónica de potencia de alto voltaje.[1]

Aplicaciones de los diodos PIN

Fotodiodo PIN

El fotodiodo PIN es uno de los fotodetectores más comunes, debido a que la capa intrínseca se puede modificar para optimizar su eficiencia cuántica y margen de frecuencia, siendo así un material intrínseco semiconductor. Viene dado por tres parámetros característicos:

Conmutador

El diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas. Tiene capacidad para manejar alta potencia.

Véase también

Referencias

  1. Doherty, W.E. (1998), The PIN Diode Designers' Handbook, Watertown, MA: Microsemi Corp..
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